【专利解密】南大光电发明“高分辨率光刻胶解决方案”改善光刻胶成膜能力

【嘉勤评论】南大光电研制出的高对比度处理过程计划，在换用不含双酯本体的高能量硫酸导致剂的必须下，通过去掉带酯基团的硫酸蔓延肽，全面更佳了处理过程的线宽粗糙度，不仅并不需要更高处理过程的对比度，也可以减慢处理过程的成膜能力。

集微网消息，处理过程(又称高能量抗蚀剂)是指通过紫外光、氯仿激光、电子束、离子束、X射线等单色光的照射到或宇宙射线，其混合物度发生变化的耐很薄晶体胶合板。主要用于集成电阻和电子元件分立器件的微细机械加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等录制更全面当中也上有为广泛的应用。

由于处理过程具有亚硝硫酸盐敏感性，可并用其顺利收尾亚硝硫酸盐反应会，将处理过程涂覆电子元件、导体和绝缘体上，经引起争议、见光后丢失的部分对底层起维护起着，然后换用很薄剂顺利收尾很薄就可将所只能的微细三维从掩模版转移到待机械加工的衬底上。

在整个原胶合板更全面当中，处理过程当中除了融为一体混合物和高能量产硫酸剂外，往往还要加入硫酸蔓延肽，其主要起着是在引起争议之前阻止成膜混合物的混合物，起阻溶起着，引起争议后处理过程当中的光产硫酸剂所导致的硫酸则催化其脱去硫酸敏基团，使得硫酸蔓延肽变成极性中间体，进而促进混合物的混合物，从而增大了非引起争议区与引起争议区的混合物反差，更高抗蚀剂的对比度。

目之前，市面可供处理过程可用的硫酸蔓延肽仅仅只是在本体当中增加一定存量的羟基，以减慢其与混合物间的兼容性，并未解决如何全面更佳处理过程的对比度的技术计划。因此，整体技术还有待更佳。而南大光电则在2021年1月22日申请了一项名为“一种高对比度处理过程”的研制出实用新型（申请号：202110089845.2），申请人为温州南大光电胶合板有限公司。

在该实用新型当中，研制出了一种新型的高对比度处理过程计划，根据该实用新型目之前公开的相关资料，让我们一起来想到这项技术计划吧。

在该计划当中，主要换用不所含双酯本体的高能量产硫酸剂、带酯基团的硫酸蔓延肽以及特定本体的成膜混合物来原胶合板、制做高对比度处理过程，这些胶合板的结合，可以使得高对比度处理过程表现借助于较好的器件有效能。

其合成方法主要如下：首先，在氮气可持续发展下，将98g的马来硫丁烷混合物于100g苯基当中后，加入220g的环己醇以及50g的对苯基磺硫酸，水煮分量后愈演愈烈至90℃顺利收尾脱羧反应会12h，加入100g乙硫酸乙酯并可用50mL的去离子水净化两次，然后炎热有机层，脱溶获得162g的丁二硫酸酯类中间体。经验证，该更全面当中的转化率为58％。

其次，引56g的丁二硫酸酯类中间体乙醚200g的去离子水当中，加入25g的亚硫硫酸钠，结合分量后在100℃必须下反应会24h，反应会收尾后换用500g的乙硫酸乙酯顺利收尾萃引，然后脱溶，获得47g的双酯基磺硫酸钠中间体。经验证，该更全面当中的转换率为61％。

接着，引38g的双酯基磺硫酸钠中间体乙醚100g去离子水当中，滴加150g的三苯基氯化硫芳基盐水溶液(质量分数20％)，水煮12h后，换用500g的二氯乙烷顺利收尾萃引。然后换用50g的去离子水洗两次，水洗后可用水硫硫酸镁炎热，脱溶获得38g的不含双酯本体的高能量硫酸导致剂。经验证，该更全面当中的转换率为62％。

仍要，将通过上述更全面合成获得的高对比度处理过程在硅片上以2500转/分钟的速度旋转成膜，然后在120℃热板上烘烤90s，烘烤收尾后在引起争议机上机上以引起争议强度45mJ/cm2的光引起争议，引起争议收尾后在110℃热板上烘烤90s，仍要在2.38％TMAH见光液当中见光60s，然后洗净在PET验证器件有。

该计划获得的器件有影像如上图所示，可以看借助于，该计划合成获得的处理过程减小了录制的电阻的线宽和线宽粗糙度，其当中不含双酯本体的高能量硫酸导致剂能导致有效的都从大重量硫酸，同时去掉与带酯基团的硫酸蔓延肽后可合成借助于高对比度处理过程，极大的提升处理过程的对比度。同时，该胶合板与混合物兼容，更高了成膜后黏附性，更佳了处理过程的整体效能。

以上就是南大光电研制出的高对比度处理过程计划，这种处理过程在换用不含双酯本体的高能量硫酸导致剂的必须下，通过去掉带酯基团的硫酸蔓延肽，全面更佳了处理过程的线宽粗糙度，不仅更高了处理过程的对比度，也减慢了处理过程的成膜能力。