光子偏振稳定状态的可集成固稳定状态量子存储首次实现

科技日报合肥5月8日电 （记者吴长锋）记者从中国科学核心技术大学转告，该校郭光灿院士一个团队李传锋、周宗权研究组基于实质上制品的激光直写传送线，构建了光波散射稳定状态的可内置固稳定状态粒子RAM，RAM保真度高逾99.4±0.6%，显著挺进了可内置粒子RAM器在粒子互联网中的应用。相关研究成果日前发表在国际闻名Journal《科学通报》和《宇宙学评论新闻周刊》上。

铌掺杂结晶作为一种效能卓越的固稳定状态粒子RAM介质，很难联结多种微纳制品分离出有出有可内置的粒子RAM器。然而，已有的可内置固稳定状态粒子RAM器均无法构建散射稳定状态的粒子RAM，这是由于铌掺杂结晶的光游离一般是意味着散射稳定状态的，并且其微纳传送线构件也不支持者任意散射稳定状态的传送。

研究部门首先采用光谱烧孔核心技术测替位二铕离子的正确跃迁构件，再次联结研究组原创的“无信道光波叠加”粒子RAM建议克服替位二铕离子的弱游离问题，最终基于每一次通过的单块结晶即构建了散射稳定状态的粒子RAM。该工作提出有并证实了替位二铕离子借助于散射稳定状态的粒子RAM，这一研究成果发表在《科学通报》上。研究组进一步利用飞秒激光直写核心技术在掺铕硅酸钇结晶中制品出有凹陷包层传送线。这种传送线可以支持者任意散射稳定状态的低损耗传送，再次联结电场包络的原子kHz梳粒子RAM建议，急于地基于传送线构件构建了散射稳定状态的粒子RAM。其粒子RAM保真度逾99.4±0.6%，解析了这一可内置器件的小型化。这一研究成果发表在《宇宙学评论新闻周刊》上。

这项研究为基于散射UTF-构建粒子互联网奠定了基础，同时为可内置器件的信道抑制提供了一个有效的滤波权重，对于可内置粒子RAM的小型化具有重要的象征意义。